MIM‐Diode‐Like Rectification in Lateral 1T/1H/1T‐MoS2 Homojunctions via Interfacial Dipole Engineering

ABSTRACT Lateral 2D tunnel diodes that reproduce metal‐insulator‐metal (MIM)‐diode‐like rectification without using dissimilar contacts are attractive for scalable nanoelectronics. MoS2 can exist in both the semiconducting 1H phase and the metallic 1T phase, enabling phase‐engineered homojunctions w...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Elias Eckmann, Ersoy Şaşıoğlu, Nicki F. Hinsche, Ingrid Mertig
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	Wiley-VCH 2026-02-01
سلاسل:	Advanced Electronic Materials
الموضوعات:	2D materials interface‐dipole engineering lateral homojunction tunnel diodes MoS2 NEGF quantum transport
الوصول للمادة أونلاين:	https://doi.org/10.1002/aelm.202500607
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!