Development and Fabrication of AlGaInP-Based Flip-Chip Micro-LEDs
The fabrication of AlGaInP-based flip-chip micro light-emitting-diodes (LED; emitting area: 4.5 mil × 5 mil) with horizontal electrodes is reported in this paper. The thickness of the epitaxial layer of the thin LED structure was reduced to 50% of that of the traditional thick LED, whereas ca...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
IEEE
2018-01-01
|
| Loạt: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ieeexplore.ieee.org/document/8332488/ |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|