Расчет энергии образования и вероятностей трансформации некоторых собственных дефектов в гексагональном нитриде бора
Гексагональный нитрид бора (h-BN) интересен потенциалом применения в электронике и, в частности, в создании однофотонных источников. В данной работе изучаются некоторые свойства дефектов, а именно вакансии бора (VB) и вакансии азота с антиструктурным дефектом (NBVN) в различных зарядовых состояниях...
Bewaard in:
| Hoofdauteurs: | , |
|---|---|
| Formaat: | Artigo |
| Taal: | Inglês |
| Gepubliceerd in: |
Herzen State Pedagogical University of Russia
2024-12-01
|
| Reeks: | Physics of Complex Systems |
| Onderwerpen: | |
| Online toegang: | https://physcomsys.ru/index.php/physcomsys/article/view/190 |
| Tags: |
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|