Расчет энергии образования и вероятностей трансформации некоторых собственных дефектов в гексагональном нитриде бора
Гексагональный нитрид бора (h-BN) интересен потенциалом применения в электронике и, в частности, в создании однофотонных источников. В данной работе изучаются некоторые свойства дефектов, а именно вакансии бора (VB) и вакансии азота с антиструктурным дефектом (NBVN) в различных зарядовых состояниях...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Sprache: | Inglês |
| Veröffentlicht: |
Herzen State Pedagogical University of Russia
2024-12-01
|
| Schriftenreihe: | Physics of Complex Systems |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://physcomsys.ru/index.php/physcomsys/article/view/190 |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
