Research on a new thermoelectric material obtained by doping of n-HfNiSn with Nb atoms
The structural, kinetic, energetic, and magnetic properties of the new thermoelectric material Hf1-xNbxNiSn, obtained by doping the n-HfNiSn semiconductor with Nb atoms introduced into the structure by substituting Hf atoms in the crystallographic position 4a, have been investigated. It has been est...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
2025-12-01
|
| Loạt: | Фізика і хімія твердого тіла |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/8568 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|