Sensitivity of RADFET for gamma and X-ray doses used in medicine
In this paper, the results of radiation sensitive field effect transistors (Al-gate p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors) sensitivity to gamma and X-ray irradiation are presented. Radiation fields were created using 60Co source for three dose ranges (0-1 Gy, 0-5 Gy,...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
VINCA Institute of Nuclear Sciences
2014-01-01
|
| Loạt: | Nuclear Technology and Radiation Protection |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://www.doiserbia.nb.rs/img/doi/1451-3994/2014/1451-39941403179P.pdf |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|