Response Properties of Silicon Trench Photodiodes to Single α- and γ-Ray in Pulse Mode
This study proposes a new silicon X-ray sensor structure for photon-counting computed tomography (CT), which is a next-generation low-dose X-ray imaging technique. Silicon, which is inexpensive and has excellent processability and a lower reverse bias voltage of several tens of volts, as well as cha...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
IEEE
2022-01-01
|
| Loạt: | IEEE Access |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ieeexplore.ieee.org/document/9780361/ |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|