Deep trap spectra of Sn-doped α-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire

Epitaxial layers of α-Ga2O3 with different Sn doping levels were grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire. The films had shallow donor concentrations ranging from 1017 to 4.8 × 1019 cm−3. Deep level transient spectroscopy of the lowest doped samples revealed dominant A traps with level Ec − 0...

Descripció completa

Dades bibliogràfiques

Autors principals:	A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, E. B. Yakimov, V. I. Nikolaev, S. I. Stepanov, A. I. Pechnikov, A. V. Chernykh, K. D. Shcherbachev, A. S. Shikoh, A. Kochkova, A. A. Vasilev, S. J. Pearton
Format:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicat:	AIP Publishing LLC 2019-05-01
Col·lecció:	APL Materials
Accés en línia:	http://dx.doi.org/10.1063/1.5094787
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!