Influence of Quantum-Well Number and an AlN Electron Blocking Layer on the Electroluminescence Properties of AlGaN Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
The influence of quantum-well (QW) number on electroluminescence properties was investigated and compared with that of AlN electron blocking layer (EBL) for deep ultraviolet light-emitting diodes (DUV-LEDs). By increasing the QW number, the band emission around 265 nm increased and the parasitic pea...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI AG
2018-11-01
|
| মালা: | Applied Sciences |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://www.mdpi.com/2076-3417/8/12/2402 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|