Controlling the Doping Depth in Silicon Micropillars
Micropillar arrays with radial p–n junctions are attractive for photovoltaic applications, because the light absorption and carrier collection become decoupled. The main challenge in manufacturing radial p–n junctions is achieving shallow (dopant depth <200 nm) and heavy doping (>10<sup>20</sup> cm<...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
MDPI AG
2020-07-01
|
| Շարք: | Applied Sciences |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://www.mdpi.com/2076-3417/10/13/4581 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|