Analysis of the p-i-n-structures Electrophysical Characteristics Influence on the Spectral Characteristics Sensitivity
In this paper the simulation of the silicon p-i-n-photodiodes spectral sensitivity characteristics was carried out. The analysis of the semiconductor material characteristics (the doping level, lifetime, surface recombination velocity), the construction and operation modes on the photosensitive stru...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
Sumy State University
2015-06-01
|
| தொடர்: | Журнал нано- та електронної фізики |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | http://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2015/2/articles/jnep_2015_V7_02023.pdf |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|