Influence of fabrication parameters on the Schottky barrier modulation of Mo/MoOx/IGZO/Ti/Mo memristor

This study investigates the impact of annealing and plasma treatments on the electrical and structural properties of Mo/MoO _x /IGZO/Ti/Mo memristors, with focus on the effective Schottky barrier modulation at the MoO _x /IGZO interface. The IGZO memristors demonstrate reliable analog switching with...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Maria Elias Pereira, Jonas Deuermeier, Tomás Mingates, Patrícia Almeida Carvalho, Tomás Calmeiro, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins, Pedro Barquinha, Asal Kiazadeh
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	IOP Publishing 2026-01-01
Edice:	JPhys Materials
Témata:	eightwise switching IGZO memristors plasma treatment passivation annealing Schottky barrier modulation
On-line přístup:	https://doi.org/10.1088/2515-7639/ae35a7
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!