Preparation of Te-based compound target for amorphous semiconductor thin film
When a certain threshold switching voltage is applied to a semiconductor of Te-based compound in a high-impedance amorphous state, the semiconductor transits into a low-resistance state, and the resistance difference is more than five orders of magnitude. Therefore, TeAsGeSi material can be prepared...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Chinês |
| Հրապարակվել է: |
Science Press
2019-02-01
|
| Շարք: | 工程科学学报 |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | http://cje.ustb.edu.cn/article/doi/10.13374/j.issn2095-9389.2019.02.009 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|