Analysis of the Inhomogeneous Barrier in In/p-Si Schottky Contact and Modified Richardson Plot
The current-voltage (I-V) characteristics of In/p-Si Schottky barrier contact were measured over the temperature range 230-360 K with interval of 10 K. The calculated zero bias barrier height () and the ideality factor (n) using thermionic theory show strong temperature dependence. The experimental...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Sumy State University
2016-06-01
|
| Seria: | Журнал нано- та електронної фізики |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | http://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2016/2/articles/jnep_2016_V8_02006.pdf |
| Etykiety: |
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|