Low Power Phase Change Memory With Vertical Carbon Nanotube Electrode

Phase change memory (PCM) formed by Ge₂Sb₂Te₅ (GST) on vertical carbon nanotube (CNT) filled contact plug is demonstrated in this paper. In order to achieve compatibility with the underlying process, the CNTs are synthesized using nickel catalyst at a low temperature...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Panni Wang, Yihan Chen, Suwen Li, Salahuddin Raju, Longyan Wang, Lining Zhang, Xinnan Lin, Zhitang Song, Mansun Chan
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	IEEE 2017-01-01
سلاسل:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
الموضوعات:	Ge₂Sb₂Te₅ (GST) phase change memory (PCM) carbon nanotube (CNT)
الوصول للمادة أونلاين:	https://ieeexplore.ieee.org/document/8000557/
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!