CMOS Compatible Hydrogen Sensor Using Platinum Gate and ALD–Aluminum Oxide
In this study, a p-Si/ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Ti/Pt MOS (metal oxide semiconductor) device has been fabricated and used as a hydrogen sensor. The use of such a stack enables a reliable, industry-compatible CMOS fabrication process. ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> has been chosen as it can be...
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| Principais autores: | , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
MDPI AG
2024-05-01
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| coleção: | Sensors |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.mdpi.com/1424-8220/24/10/3020 |
| Tags: |
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