DC and 28 GHz Reliability of a SOI FET Technology
We introduce experimental results of the I-V degradation characteristics of a Silicon SOI technology for RF applications when stressed under both; a 28 GHz and a DC stress input signals. Then we compare the effect of DC and RF stress on threshold voltage, transconductance, and drain current capabili...
Збережено в:
| Автори: | , , , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
IEEE
2020-01-01
|
| Серія: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://ieeexplore.ieee.org/document/8894470/ |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|