Quantitative Analysis on the Interaction Between Channel Carrier and Remote Trap in HfxZr1‐xO2/SiO2 Interface in Ferroelectric Field‐Effect‐Transistor

ABSTRACT In this work, the polarization‐dependent operating characteristics of TiN/HfxZr1‐xO2(HZO)/SiO2/Si ferroelectric FETs (FeFETs) are investigated, and remote HZO/SiO2 interface traps (Dit,FE/DE) are quantitatively separated from Si/SiO2 interface traps (Dit0). X‐ray photoelectron spectroscopy...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Haneul Lee, Sujong Kim, Changhyeon Han, Haesung Kim, Hyojin Yang, Sejun Park, Sanghyuk Yun, Yoon Jung Lee, Sung‐Jin Choi, Dae Hwan Kim, Dong Myong Kim, Daewoong Kwon, Jong‐Ho Bae
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	Wiley-VCH 2026-01-01
سلاسل:	Advanced Electronic Materials
الموضوعات:	charge trapping ferroelectric hafnium‐zirconium oxide ferroelectric transistor interface states quantitative analysis
الوصول للمادة أونلاين:	https://doi.org/10.1002/aelm.202500549
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!