Resistive Switching and Synaptic Characteristics in ZnO/TaON-Based RRAM for Neuromorphic System
We fabricated an ITO/ZnO/TaON/TaN device as nonvolatile memory (NVM) with resistive switching for complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) compatibility. It is appropriate for the age of big data, which demands high speed and capacity. We produced a TaON layer by depositing a ZnO layer on a Ta...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI AG
2022-06-01
|
| سلاسل: | Nanomaterials |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.mdpi.com/2079-4991/12/13/2185 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|