Unanticipated Interfacial Redox Reaction in the NiOx Transport Layer of Perovskite Light‐Emitting Diodes

Abstract This study reveals an unanticipated interfacial redox reaction between the nickel oxide (NiOx) hole transport layer and perovskite active layer in organolead halide perovskite light‐emitting diodes (PeLEDs). Specifically, metallic nickel (Ni0) present in the NiOx layer undergoes oxidation w...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Thi‐Hoai Do, Aswaghosh Loganathan, Yun‐Han Wu, Yaw‐Shyan Fu, Tzung‐Fang Guo
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	Wiley 2026-02-01
Seria:	Advanced Science
Hasła przedmiotowe:	bias‐induced performance metallic lead NiOx/perovskite interface oxidation‐reduction reaction
Dostęp online:	https://doi.org/10.1002/advs.202510824
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!