Low temperature processed, highly stable CMOS inverter by integrating Zn-ON and tellurium thin-film transistors

Semiconductors processed at low temperature for complementary metal–oxide semiconductors (CMOS) devices are receiving considerable attention in the field of integrated electronic applications. In this work, we demonstrated a CMOS inverter constructed by n-type ZnON and p-type Te TFTs where all the p...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Muhammad Naqi, Seong Cheol Jang, Yongin Cho, Ji Min Park, Joo On Oh, Hyun Yeol Rho, Hyun-Suk Kim, Sunkook Kim
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	Taylor & Francis Group 2023-07-01
Seria:	Journal of Information Display
Hasła przedmiotowe:	CMOS inverter low-temperature ZnON tellurium high mobility
Dostęp online:	https://www.tandfonline.com/doi/10.1080/15980316.2023.2174195
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!