QR குறியீடு

Low temperature processed, highly stable CMOS inverter by integrating Zn-ON and tellurium thin-film transistors

Semiconductors processed at low temperature for complementary metal–oxide semiconductors (CMOS) devices are receiving considerable attention in the field of integrated electronic applications. In this work, we demonstrated a CMOS inverter constructed by n-type ZnON and p-type Te TFTs where all the p...

முழு விளக்கம்

சேமிக்கப்பட்டது:
முதன்மை ஆசிரியர்கள்: Muhammad Naqi, Seong Cheol Jang, Yongin Cho, Ji Min Park, Joo On Oh, Hyun Yeol Rho, Hyun-Suk Kim, Sunkook Kim
வடிவம்: Artigo
மொழி:Inglês
வெளியிடப்பட்டது: Taylor & Francis Group 2023-07-01
தொடர்:Journal of Information Display
பொருள்கள்:
CMOS inverter
low-temperature
ZnON
tellurium
high mobility
ஆன்லைன் அணுகல்:https://www.tandfonline.com/doi/10.1080/15980316.2023.2174195
குறிச்சொற்கள்: குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும்
டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!

ஒத்த வளங்கள்