INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER

The possibility of improving the quality of Ge/Si heteroepitaxial structures with a buffer layer is investigated. It is shown that when using a preparatory layer consisting of nanostructures overgrown with a low-temperature buffer layer, it is possible to manifest the so-called effect of annihilatio...

Полное описание

Библиографические подробности

Главные авторы:	V.A. Lapin, A.A. Kravtsov, D.S. Kuleshov, F.F. Malyavin
Формат:	Artigo
Язык:	Russo
Опубликовано:	Tver State University 2021-12-01
Серии:	Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов
Предметы:	heteroepitaxy molecular beam epitaxy misfit dislocations buffer layer defect annihilation
Online-ссылка:	https://physchemaspects.ru/2021/doi-10-26456-pcascnn-2021-13-263/?lang=en
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!