QR код

Design and Simulation of Logic-In-Memory Inverter Based on a Silicon Nanowire Feedback Field-Effect Transistor

In this paper, we propose a logic-in-memory (LIM) inverter comprising a silicon nanowire (SiNW) n-channel feedback field-effect transistor (n-FBFET) and a SiNW p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistor (p-MOSFET). The hybrid logic and memory operations of the LIM inverter were inve...

Бүрэн тодорхойлолт

-д хадгалсан:
Номзүйн дэлгэрэнгүй
Үндсэн зохиолчид: Eunwoo Baek, Jaemin Son, Kyoungah Cho, Sangsig Kim
Формат: Artigo
Хэл сонгох:Inglês
Хэвлэсэн: MDPI AG 2022-04-01
Цуврал:Micromachines
Нөхцлүүд:
Онлайн хандалт:https://www.mdpi.com/2072-666X/13/4/590
Шошгууд: Шошго нэмэх
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!