Evaluating the Local Bandgap Across inxGa1‐xas Multiple Quantum Wells in a Metamorphic Laser via Low‐Loss EELS

Abstract Using high‐resolution scanning transmission electron microscopy and low‐loss electron energy loss spectroscopy, the local bandgap (Eg), indium concentration, and strain distribution across multiple InxGa1‐xAs quantum wells (QWs), on a GaAs substrate, within a metamorphic laser structure are...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Nicholas Stephen, Ivan Pinto‐Huguet, Robert Lawrence, Demie Kepaptsoglou, Marc Botifoll, Agnieszka Gocalinska, Enrica Mura, Quentin Ramasse, Emanuele Pelucchi, Jordi Arbiol, Miryam Arredondo
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	Wiley-VCH 2025-05-01
Seria:	Advanced Materials Interfaces
Hasła przedmiotowe:	bandgap electron energy loss spectroscopy in concentration InGaAs quantum well strain distribution
Dostęp online:	https://doi.org/10.1002/admi.202400897
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!