Interfacial engineering with chemical bath deposition for high-performance HgTe quantum dot-based short-wave infrared photodetectors

Abstract Colloidal quantum dot-based short-wave infrared (SWIR) photodetectors are often limited by surface traps and high noise levels at room temperature. In this work, we present a low-temperature chemical bath deposition (CBD) strategy to grow a heterojunction passivation layer on HgTe quantum d...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục

Những tác giả chính:	Haoran Chen, Yuwei Guo, Yulia V. Kuznetsova, Kseniia A. Sergeeva, Arsenii S. Portniagin, Xie He, Hui Yu, Andrey L. Rogach, Ni Zhao
Định dạng:	Artigo
Ngôn ngữ:	Inglês
Được phát hành:	SpringerOpen 2025-10-01
Loạt:	Nano Convergence
Những chủ đề:	HgTe quantum dots Short-wave infrared phototransistor Chemical bath deposition Interfacial engineering CdS layer
Truy cập trực tuyến:	https://doi.org/10.1186/s40580-025-00519-9
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!