Enhanced photogalvanic effect in Janus PtSSe-HfSSe lateral heterojunctions
The enhancement of photogalvanic effect (PGE) is vital for the application of optoelectronics. We use the ab initio quantum transport method to study the possible enhancement of PGE by importing a lateral PtSSe-HfSSe heterojunction. Under irradiation of linearly polarized light with photon energies...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
Elsevier
2024-07-01
|
| தொடர்: | Next Materials |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2949822824000133 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|