High-Performance p-Cu<sub>2</sub>O/n-β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Heterojunction Barrier Schottky Diodes with Copper Contact
This study demonstrates the fabrication of high-performance p-Cu<sub>2</sub>O/n-β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> heterojunction barrier Schottky (JBS) diodes using copper as a low-work-function anode metal. By optimizing the Cu<sub>2</sub>O spacing to 4 μm, the device achieves a turn-on voltage of 0.78...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI AG
2025-12-01
|
| سلاسل: | Nanomaterials |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.mdpi.com/2079-4991/15/24/1840 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|