The Photoelectric Properties of Intrinsic Oxide - p-In4Se3 Heterojunctions

The intrinsic oxide - p-In4Se3 heterojunction was fabricated by the method of thermal oxidation of semiconductor substrate for the first time. The qualitative energy band diagram was built on the basis of analysis of electrical and photovoltaic characteristics of the heterojunction. The character of...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	V.N. Katerynchuk, Z.D. Kovalyuk, B.V. Kushnir, O.S. Litvin
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	Sumy State University 2016-10-01
Seria:	Журнал нано- та електронної фізики
Hasła przedmiotowe:	Indium selenide Layered crystals Heterojunctions Spectral characteristics Current-voltage characteristic
Dostęp online:	http://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2016/3/articles/Proof_jnep_2016_V8_03032.pdf
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!