Vertical-Type Ni/GaN UV Photodetectors Fabricated on Free-Standing GaN Substrates
The authors report on a vertical-type visible-blind ultraviolet (UV) Schottky-type photodetector fabricated on a homoepitaxial GaN layer grown on free-standing GaN substrates with a semi-transparent Ni Schottky contact. Owing to the high-quality GaN drift layer with low-density threading dislocation...
Na minha lista:
| Principais autores: | , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
MDPI AG
2019-07-01
|
| coleção: | Applied Sciences |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.mdpi.com/2076-3417/9/14/2895 |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|