On the Small-Signal Capacitance of RF MEMS Switches at Very Low Frequencies

This paper presents on-wafer capacitance measurements of silicon-based RF MEMS capacitive switches down to frequencies below 1 Hz. The capacitance-voltage (C-V) curve measured at very-low frequency (0.01-10 Hz) deviates from the commonly measured and well-understood high-frequency C-V curve, especia...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Jiahui Wang, Jeroen Bielen, Cora Salm, Gijs Krijnen, Jurriaan Schmitz
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	IEEE 2016-01-01
سلاسل:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
الموضوعات:	MEMS electrical characterization wafer level testing RF MEMS switches capacitive switches frequency dispersion
الوصول للمادة أونلاين:	https://ieeexplore.ieee.org/document/7549009/
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!