Heavy Ions Induced Single-Event Transient in SiGe-on-SOI HBT by TCAD Simulation

In this work, the effects of heavy ion strike position, incident angle, linear energy transfer (LET) value, ambient temperature, bias conditions, and the synergistic effects of total dose irradiation on the single-event transient (SET) in silicon-germanium heterojunction bipolar transistors on silic...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Yuedecai Long, Abuduwayiti Aierken, Xuefei Liu, Mingqiang Liu, Changsong Gao, Gang Wang, Degui Wang, Sandip Majumdar, Yundong Xuan, Mengxin Liu, Jinshun Bi
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	MDPI AG 2025-04-01
Edice:	Micromachines
Témata:	SiGe heterojunction bipolar transistor silicon-on-insulator single-event transient heavy ions
On-line přístup:	https://www.mdpi.com/2072-666X/16/5/532
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!