High-voltage kV-class AlN metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal AlN substrates

This letter reports the demonstration and electrical characterization of high-voltage AlN metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs) on single-crystal AlN substrates. Compared with AlN MESFETs on foreign substrates, the AlN-on-AlN MESFETs showed high breakdown voltages of over 2 kV for d...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Bingcheng Da, Dinusha Herath Mudiyanselage, Dawei Wang, Ziyi He, Houqiang Fu
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	IOP Publishing 2024-01-01
Edice:	Applied Physics Express
Témata:	AlN metal-semiconductor field-effect transistors temperature-depedndent measurements
On-line přístup:	https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad85c0
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!