In-Situ Preparation of GaN Sacrificial Layers on Sapphire Substrate in MOVPE Reactor for Self-Separation of the Overgrown GaN Crystal

GaN layers on sapphire substrates were prepared by using metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) combined with an in-situ <inline-formula><math display="inline"><semantics><mrow><msub><mi mathvariant="normal">H</mi><mn>2</mn></msub></mrow></semantics></math></inline-formula> etching process for th...

Descripció completa

Dades bibliogràfiques

Autors principals:	Sepideh Faraji, Elke Meissner, Roland Weingärtner, Sven Besendörfer, Jochen Friedrich
Format:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicat:	MDPI AG 2020-11-01
Col·lecció:	Crystals
Matèries:	hydrogen etching metalorganic vapor phase epitaxy hydride vapor phase epitaxy nitrides sapphire
Accés en línia:	https://www.mdpi.com/2073-4352/10/12/1100
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!