Three‐Dimensional Atomic‐Scale Tomography of Buried Semiconductor Heterointerfaces

Abstract Atom probes generate three‐dimensional atomic‐scale tomographies of material volumes corresponding to the size of modern‐day solid‐state devices. Here, the capabilities of atom probe tomography are evaluated to analyze buried interfaces in semiconductor heterostructures relevant for electro...

ver descrição completa

Detalhes bibliográficos

Principais autores:	Sebastian Koelling, Lucas E. A. Stehouwer, Brian Paquelet Wuetz, Giordano Scappucci, Oussama Moutanabbir
Formato:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicado em:	Wiley-VCH 2023-01-01
coleção:	Advanced Materials Interfaces
Assuntos:	atom probe tomography atomic scale microscopy epitaxial interfaces semiconductor heterostructures
Acesso em linha:	https://doi.org/10.1002/admi.202201189
Tags:	Adicionar Tag Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!