Three‐Dimensional Atomic‐Scale Tomography of Buried Semiconductor Heterointerfaces

Abstract Atom probes generate three‐dimensional atomic‐scale tomographies of material volumes corresponding to the size of modern‐day solid‐state devices. Here, the capabilities of atom probe tomography are evaluated to analyze buried interfaces in semiconductor heterostructures relevant for electro...

Бүрэн тодорхойлолт

Номзүйн дэлгэрэнгүй

Үндсэн зохиолчид:	Sebastian Koelling, Lucas E. A. Stehouwer, Brian Paquelet Wuetz, Giordano Scappucci, Oussama Moutanabbir
Формат:	Artigo
Хэл сонгох:	Inglês
Хэвлэсэн:	Wiley-VCH 2023-01-01
Цуврал:	Advanced Materials Interfaces
Нөхцлүүд:	atom probe tomography atomic scale microscopy epitaxial interfaces semiconductor heterostructures
Онлайн хандалт:	https://doi.org/10.1002/admi.202201189
Шошгууд:	Шошго нэмэх Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!