Effects of Miscut on Step Instabilities in Homo-Epitaxially Grown GaN

The rough morphology at the growth surface results in the non-uniform distribution of indium composition, intentionally or unintentionally doped impurity, and thus impacts the performance of GaN-based optoelectronic and vertical power electronic devices. We observed the morphologies of unintentional...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Peng Wu, Jianping Liu, Fangzhi Li, Xiaoyu Ren, Aiqin Tian, Wei Zhou, Fan Zhang, Xuan Li, Bolin Zhou, Masao Ikeda, Hui Yang
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	MDPI AG 2024-04-01
Edice:	Nanomaterials
Témata:	GaN step bunching step meandering Ehrlich–Schwoebel (E-S) barrier miscut MOCVD
On-line přístup:	https://www.mdpi.com/2079-4991/14/9/748
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!