Electron Spin–Lattice Relaxation of Substitutional Nitrogen in Silicon: The Role of Disorder and Motional Effects
In a previous investigation, the authors proposed nitrogen as a possible candidate for exploiting the donor spin in silicon quantum devices. This system is characterized by a ground state deeper than the other group V impurities in silicon, offering less stringent requirements on the device temperat...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
MDPI AG
2023-12-01
|
| தொடர்: | Nanomaterials |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://www.mdpi.com/2079-4991/14/1/21 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|