InGaAsP／InP异质结构材料组分及结构的XPS测定
采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构ＭＯＣＶＤ外延晶片作了表面薄层元素、组分定性、定量和深度分布分析。利用ＸＰＳ组分定量数据与带隙和组分量数据与晶体常数的经验公式计算带隙、晶格常数和失配率，并与光压谱（ＰＶＳ）测定的带隙值和Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率作了比较，比较结果是满意的。实验和分析表明，在研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料表面组分和表面点阵结构方面，ＸＰＳ比经典的（主要作为体相分析技术）ＸＲＤ技术更为优越
I tiakina i:
| Ngā kaituhi matua: | , |
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| Hōputu: | Artigo |
| Reo: | Chinês |
| I whakaputaina: |
《光通信研究》编辑部
1996-01-01
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| Rangatū: | Guangtongxin yanjiu |
| Ngā marau: | |
| Urunga tuihono: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails?columnId=27503777&Fpath=home&index=0 |
| Ngā Tūtohu: |
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