InGaAsP／InP异质结构材料组分及结构的XPS测定
采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构ＭＯＣＶＤ外延晶片作了表面薄层元素、组分定性、定量和深度分布分析。利用ＸＰＳ组分定量数据与带隙和组分量数据与晶体常数的经验公式计算带隙、晶格常数和失配率，并与光压谱（ＰＶＳ）测定的带隙值和Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率作了比较，比较结果是满意的。实验和分析表明，在研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料表面组分和表面点阵结构方面，ＸＰＳ比经典的（主要作为体相分析技术）ＸＲＤ技术更为优越
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Chinês |
| প্রকাশিত: |
《光通信研究》编辑部
1996-01-01
|
| মালা: | Guangtongxin yanjiu |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails?columnId=27503777&Fpath=home&index=0 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|