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Recent Advanced Ultra‐Wide Bandgap β‐Ga2O3 Material and Device Technologies

Abstract Gallium oxide (Ga2O3) is an emerging ultra‐wide bandgap (UWBG) semiconductor material that has gained significant attention in the field of high voltage and high frequency power electronics. Its noteworthy attributes include a large bandgap (Eg) of 4.8 eV, high theoretical critical breakdow...

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Principais autores: Sihan Sun, Chenlu Wang, Sami Alghamdi, Hong Zhou, Yue Hao, Jincheng Zhang
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Wiley-VCH 2025-01-01
coleção:Advanced Electronic Materials
Assuntos:
diodes
epitaxial
FETs
Ga2O3
PFOM
RF
Acesso em linha:https://doi.org/10.1002/aelm.202300844
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