Temperature Effect of van der Waals Epitaxial GaN Films on Pulse-Laser-Deposited 2D MoS<sub>2</sub> Layer
Van der Waals epitaxial GaN thin films on c-sapphire substrates with a sp<sup>2</sup>-bonded two-dimensional (2D) MoS<sub>2</sub> buffer layer, prepared by pulse laser deposition, were investigated. Low temperature plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE) was successfully employed for the deposi...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI AG
2021-05-01
|
| মালা: | Nanomaterials |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://www.mdpi.com/2079-4991/11/6/1406 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|