Enhanced Polarization Switching in HfZrO<sub>2</sub> MFS FeFET Using WO<sub>x</sub> Interlayer
We demonstrate that the memory window (MW) of HfZrO2 (HZO)-based ferroelectric field-effect transistors (FeFETs) with an InZnO channel/HZO/W gate stack can be noticeably widened to over 2 V by introducing an amorphous WO2.7 interlayer (IL) into the gate interface. Although an orthorhombic (o-) phase...
Na minha lista:
| Principais autores: | , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
IEEE
2026-01-01
|
| Colecção: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://ieeexplore.ieee.org/document/11527210/ |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|