Propriedades elétricas da liga AlxGa1-xAs dopada com Silício.
Discutimos a influência das condições de crescimento, concentração de dopantes e composição sobre as propriedades elétricas de amostras da liga ternária AlxGa1-xAs dopada com Silício, preparadas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE).
Enregistré dans:
| Auteurs principaux: | , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Langue: | Inglês |
| Publié: |
Universidade Estadual de Londrina
2004-12-01
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| Collection: | Semina: Ciências Exatas e Tecnológicas |
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | https://ojs.uel.br/revistas/uel/index.php/semexatas/article/view/3217 |
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