Unveiling the growth mode diagram of GaSe on sapphire
Abstract The growth of two-dimensional epitaxial materials on industrially relevant substrates is critical for enabling their scalable synthesis and integration into next-generation technologies. Here we present a comprehensive study of the molecular beam epitaxial growth of gallium selenide on 2-in...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , , , , , , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
Nature Portfolio
2025-12-01
|
| தொடர்: | Communications Materials |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://doi.org/10.1038/s43246-025-01005-9 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|
