Engineering the Morphology and Properties of MoS₂ Films Through Gaseous Precursor-Induced Vacancy Defect Control

The morphology, structure, and composition of CVD-grown molybdenum disulfide (<inline-formula><math xmlns="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><semantics><msub><mi>MoS</mi><mn>2</mn></msub></semantics></math></inline-formula>) films were investigated under varying precursor vapor pr...

Бүрэн тодорхойлолт

Номзүйн дэлгэрэнгүй

Үндсэн зохиолчид:	James Abraham, Nigel D. Shepherd, Chris Littler, A. J. Syllaios, Usha Philipose
Формат:	Artigo
Хэл сонгох:	Inglês
Хэвлэсэн:	MDPI AG 2025-11-01
Цуврал:	Nanomaterials
Нөхцлүүд:	MoS<sub>2</sub> CVD growth vacancy defects charge transport
Онлайн хандалт:	https://www.mdpi.com/2079-4991/15/22/1723
Шошгууд:	Шошго нэмэх Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!