Calidad cristalina del ZnSe obtenido por transporte químico con I2 como portador gaseoso
Se estudió la presencia de dislocaciones en ZnSe monocristalino obtenido por transporte químico utilizando I2 comoportador gaseoso. Para ello se utilizó microscopía electrónica de transmisión que evidenció, en el rango micrométrico ynanométrico, ausencia de defectos, por lo que fue necesario estudia...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Superficies y vacío |
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| Hlavní autoři: | , , , , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Espanhol |
| Vydáno: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2007
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| Témata: | |
| On-line přístup: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94220305 |
| Tagy: |
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