Estudio del mecanismo de transporte en películas de silicio poroso

Se identificaron los mecanismos de transporte en películas-de-silicio-poroso (PSiP) por mediciones de Corriente-Voltaje. Las PSiP se hicieron por anodización de obleas de silicio cristalino tipo p, con orientación (100) y resistividad de 1-5 O- cm. La resistividad eléctrica medida en las PSiP fue de...

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שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Superficies y vacío
Main Authors: M. A. Vásquez-A., G. Romero-Paredes, R. Peña-Sierra
פורמט: Artigo
שפה:Espanhol
יצא לאור: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2011
נושאים:
Física, Astronomía y Matemáticas
Características eléctricas
Mecanismo de transporte SCL
Películas de silicio poroso (PSiP)
גישה מקוונת:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94218546002
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