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Estudio del mecanismo de transporte en películas de silicio poroso
Se identificaron los mecanismos de transporte en películas-de-silicio-poroso (PSiP) por mediciones de Corriente-Voltaje. Las PSiP se hicieron por anodización de obleas de silicio cristalino tipo p, con orientación (100) y resistividad de 1-5 O- cm. La resistividad eléctrica medida en las PSiP fue de...
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| Publié dans: | Superficies y vacío |
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| Auteurs principaux: | , , |
| Format: | Artigo |
| Langue: | Espanhol |
| Publié: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2011
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| Accès en ligne: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94218546002 |
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