Resistividad eléctrica y Efecto Hall en películas delgadas de ZnO depositadas por evaporación reactiva
La investigación del presente trabajo muestra que el parámetro de mayor influencia sobre la figura de mérito de películas delgadas de ZnO depositadas por el método de evaporación reactiva, es el contenido de oxigeno en la cámara de preparación. Se establece que la mejor figura de mérito está definid...
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| Publicat a: | Avances |
|---|---|
| Autors principals: | , |
| Format: | Artigo |
| Idioma: | Espanhol |
| Publicat: |
Universidad Libre
2010
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| Matèries: | |
| Accés en línia: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=757979590002 |
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